IGBT行業的發展前景怎么樣 IGBT未來發展趨勢及發展方向分析

一、IGBT行業的發展前景怎么樣

IGBT指由晶體管和發射極構成的半導體元件，用于控制電子電路中的電流和電壓，作為新興的高科技產業，現已發展成為一個具有重要經濟意義的產業，擁有廣闊的發展前景。

IGBT被譽為“電力電子裝置的CPU”，應用廣泛，隨著智能家居、智能照明、新能源汽車等新興行業的興起，IGBT的應用需求越來越大；同時，國家對IGBT功率器件行業也提供了大力支持，在IGBT功率器件行業的發展中，國產企業的發展受到了政府新政策、資金支持和技術支持的推動。

預計未來幾年，我國的IGBT行業將取得較快的發展，行業市場規模將繼續擴大，市場競爭也將更加激烈，未來發展前景非常樂觀。

二、我國IGBT產業的兩大特點

1、IGBT的需求空間大

隨著新技術、新材料及新工藝的出現，CAD設計、離子注入、多層金屬化、納米級光刻等先進工藝技術應用到功IGBT器件中，IGBT設計技術將不斷得到推動和提升。未來，IGBT器件的應用將非常廣泛，涉及生活的方方面面，這也是中國看好的原因。

2、IGBT應用支撐了工控、新能源等核心領域

IGBT能得到國家的重視，這得益于它在工控和新能源等領域的作用。IGBT在國內的主要應用領域是在工業、電器和新能源等。工業方面有用于電焊機、工業加熱和電鍍電源；電器方面包括電磁爐、商用電磁爐、變頻空調和變頻冰箱；新能源方面主要是風力發電和電動汽車。

三、IGBT未來發展趨勢及發展方向分析

IGBT行業的發展前景比較廣闊，在發展趨勢和發展方向上，從行業整體發展規律而言，IGBT發展趨勢主要是降低損耗和降低成本；從結構上講，IGBT主要有三個發展方向：

1、IGBT縱向結構：非透明集電區NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區NPT型和FS電場截止型。

2、IGBT棚極結構：平面棚機構、Trench溝槽型結構。

3、硅片加工工藝：外延生長技術、區熔硅單晶。