2025年IGBT十大品牌

十大IGBT廠商排行榜,IGBT芯片-IGBT模塊生產商,IGBT哪個品牌好
IGBT什么牌子好?經專業評測的2025年IGBT十大品牌名單發布啦!居前十的有:infineon英飛凌、富士電機、Mitsubishi三菱、SemikronDanfoss、onsemi安森美、starpower、比亞迪半導體、Toshiba東芝、ST意法半導體、士蘭微電子Silan等,上榜IGBT十大品牌榜單和著名IGBT品牌名單的是口碑好或知名度高、有實力的品牌,排名不分先后,僅供借鑒參考,想知道什么牌子的IGBT好?您可以多比較,選擇自己滿意的!IGBT品牌主要屬于商標分類的第9類。榜單更新時間:2025年05月24日(每月更新)
十大品牌榜
人氣榜
口碑點贊榜
榮譽勛章榜
關注榜
  • NO.1
    infineon英飛凌
    英飛凌科技(中國)有限公司
    品牌指數: 98.3
    標準起草單位
    行業領先?著名企業 x12 資深品牌 x22
    8個行業上榜十大品牌
    3個行業品牌金鳳冠
    成立時間2003年
    注冊資本4顆星
    關注度1萬+
    品牌得票4萬+
    德國
    英飛凌成立于1999年德國,前身是西門子集團的半導體部門,全球半導體解決方案的領導者,在汽車電子、功率半導體和微控制器等領域具有領先優勢,專注于為汽車和工業功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統解決方案,其產品以高可靠性、卓越質量和創新性著稱,業務遍及全球100多個國家和地區。查看更多>>
  • NO.2
    富士電機
    富士電機(中國)有限公司
    品牌指數: 97.2
    專業評測B+++ x20 行業先鋒?行業模范 x30 百年品牌 x88
    5個行業上榜十大品牌
    17個行業品牌金鳳冠
    成立時間1923年
    注冊資本4顆星
    關注度1萬+
    品牌得票6萬+
    日本
    富士電機創立于1923年日本,主要提供驅動控制器、不間斷電源、自動化及儀器儀表產品及低壓、中高壓電器產品的綜合機電產品制造企業。在電力、能源、水環境、各類產業設備工程等社會和產業基礎設施領域開展事業,是國際領先的環保、新能源、產業設備工程提供商。查看更多>>
  • NO.3
    Mitsubishi三菱
    三菱電機(中國)有限公司
    品牌指數: 96.1
    財富世界500強
    標準起草單位
    專業評測A+++ x44 行業佼佼者?行業領導 x44 百年品牌 x88
    22個行業上榜十大品牌
    23個行業品牌金鳳冠
    成立時間1921年
    注冊資本5顆星
    關注度18萬+
    品牌得票13萬+
    日本
    始創于1921年日本,作為一家技術導向型企業,三菱電機在壓縮機、自動化、變頻控制、動力設備等高科技領域造詣極深,連日本HTV航天器和新干線都對三菱電機的技術青睞有加。三菱專注于高精尖技術及專門知識的研究開發活動,致力于為全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電等市場提供多樣而優質的產品和服務。查看更多>>
  • NO.4
    SemikronDanfoss
    賽米控丹佛斯電子(珠海)有限公司
    品牌指數: 94.7
    專業評測A+++ x43 行業標桿?領軍企業 x36
    1個行業上榜十大品牌
    2個行業品牌金鳳冠
    注冊資本4顆星
    關注度1074+
    品牌得票1萬+
    德國
    賽米控成立于1951年德國,是全球領先的功率模塊和系統制造商,于2022年與功率模塊巨頭Danfoss丹佛斯合并,主要生產現代節能型電機驅動器和工業自動化系統中的核心器件,包括IGBT模塊、SiC、MOSFET模塊、晶閘管/二極管模塊、橋式整流器模塊、IPM和分立元件等,應用于電源、可再生能源和電動車等領域。查看更多>>
  • NO.5
    onsemi安森美
    安森美半導體公司
    品牌指數: 93.4
    專業評測A+++ x47 行業佼佼者?行業領導 x44
    11個行業上榜十大品牌
    1個行業品牌金鳳冠
    關注度9748+
    品牌得票5萬+
    美國
    onsemi安森美于1999年從摩托羅拉拆分獨立,于2016年收購Fairchild仙童半導體公司,現已成為一家全球領先的半導體制造商,提供8萬多款不同的器件和全球供應鏈,包括全面的高能效電源管理、模擬、傳感器、邏輯、時序、互通互聯、分立、系統單芯片(SoC)及定制器件陣容,涵蓋汽車、功率元件、工業自動化、AC-DC、傳感器、信號控制等領域。查看更多>>
  • NO.6
    starpower
    斯達半導體股份有限公司
    品牌指數: 92.2
    上交所上市公司
    專精特新小巨人
    標準起草單位
    高新技術企業
    專業評測A+++ x58 行業標桿?領軍企業 x37 資深品牌 x20
    1個行業上榜十大品牌
    3個行業品牌金鳳冠
    成立時間2005年
    員工2471+人
    注冊資本4顆星
    斯達半導成立于2005年,國內功率半導體器件領域的領軍企業,車規級IGBT領域的佼佼者,于2020年在上交所上市(股票代碼:603290),專業從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發、生產及銷售服務,主要產品為IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等功率半導體元器件,其中IGBT模塊產品超過600種。查看更多>>
  • NO.7
    比亞迪半導體
    比亞迪半導體股份有限公司
    品牌指數: 91.1
    專業評測A+++ x56 行業先鋒?行業模范 x28 資深品牌 x21
    1個行業上榜十大品牌
    4個行業品牌金鳳冠
    成立時間2004年
    注冊資本5顆星
    關注度1857+
    品牌得票1萬+
    廣東省深圳市
    比亞迪半導體成立于2004年,是國內領先的高效、智能、集成新型半導體企業,車規級IGBT領域的佼佼者,主要從事功率半導體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導體、制造及服務,產品已基本覆蓋新能源汽車核心應用領域,同時廣泛應用于工業、家電、新能源、消費電子等應用領域。查看更多>>
  • NO.8
    Toshiba東芝
    東芝(中國)有限公司
    品牌指數: 90.1
    專業評測A+++ x44 行業佼佼者?行業領導 x46 百年品牌 x88
    10個行業上榜十大品牌
    9個行業品牌金鳳冠
    成立時間1875年
    注冊資本4顆星
    關注度38萬+
    品牌得票6萬+
    日本
    東芝是全球知名的半導體制造商,旗下東芝電子元件及存儲裝置公司成立于2017年,提供功率射頻器件、晶體管、二極管、光電半導體、微控制器、傳感器等各類IC及機械硬盤和移動硬盤等產品,其半導體產品包括SiC功率器件、MOSFET、IGBT/IEGT、隔離器/固態繼電器、電源管理IC、智能功率IC、線性IC等。查看更多>>
  • NO.9
    ST意法半導體
    意法半導體(中國)投資有限公司
    品牌指數: 88.8
    行業領先?著名企業 x11 老牌品牌 x37
    13個行業上榜十大品牌
    2個行業品牌金鳳冠
    成立時間1988年
    注冊資本5顆星
    關注度1萬+
    品牌得票6萬+
    意大利
    意法半導體創始于1988年,由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成,為全球大型半導體公司,多媒體應用一體化和電源解決方案市場佼佼者,產品涵蓋分立器件、高性能微控制器、安全型智能卡芯片、微機電系統(MEMS)器件等眾多領域,擁有包括從分立二極管與晶體管到復雜的片上系統器件等廣泛的半導體產品線。查看更多>>
  • NO.10
    士蘭微電子Silan
    杭州士蘭微電子股份有限公司
    品牌指數: 87.5
    上交所上市公司
    標準起草單位
    高新技術企業
    行業領先?著名企業 x16 資深品牌 x28
    3個行業上榜十大品牌
    8個行業品牌金鳳冠
    成立時間1997年
    員工1萬+人
    注冊資本5顆星
    關注度2萬+
    品牌得票3萬+
    士蘭微電子始于1997年,是專業從事集成電路芯片設計以及半導體微電子相關產品生產的高新技術企業,于2003年在上交所上市(股票代碼:600460),在綠色電源芯片技術、MEMS傳感器技術、LED照明和屏顯技術、高壓智能功率模塊技術、第三代功率半導體器件技術等多個技術領域保持了國內領先的地位。查看更多>>
IGBT相關推薦
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IGBT是什么時候發明的 IGBT發展到第幾代了
IGBT作為一種半導體器件,現如今在新能源汽車等領域應用廣泛,它是20世紀80年代由B?賈揚?巴利加發明的,發展至今已經經過了7代的更新,從第一代的平面柵+穿通(PT)到第七代的微溝槽柵+場截止(MicroPatternTrench),性能不斷得到提升。下面一起來了解一下IGBT是什么時候發明的以及IGBT發展到第幾代了吧。
IGBT 芯片
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IGBT功率模塊多少錢一個 igbt模塊怎么選型
igbt模塊的價格主要看生產廠家、參數、設計、性能等方面,具體價格從一兩百元一個到幾千元一個都有,選擇時并不是價格越高就越好,而是要綜合考慮電壓、電流和開關參數來選型,并注意選出的igbt模塊要滿足安全工作區、熱限制、封裝要求和可靠性要求四個方面的要求。下面一起來了解一下IGBT功率模塊多少錢一個以及igbt模塊怎么選型吧。
IGBT 芯片
535 1
IGBT單管和IGBT模塊的區別是什么 IGBT單管能代替IGBT模塊嗎
IGBT單管和IGBT模塊主要在封裝形式、功耗和可靠性等方面有所區別,作用和工作原理基本是一樣的,那么IGBT單管能代替IGBT模塊嗎?考慮到IGBT單管的散熱條件不如IGBT模塊,再加上IGBT模塊的一致性比IGBT單管的一致性好,一般還是不建議用IGBT單管來代替IGBT模塊。下面一起來了解一下IGBT單管和IGBT模塊的區別是什么吧。
IGBT 芯片
1412 1
IGBT生產工藝流程 igbt生產設備有哪些
IGBT芯片的生產流程包括晶圓生產、芯片設計、芯片制造三個步驟,一般IGBT芯片還要通過器件封裝制成IGBT模塊或IGBT單管后再投入使用。生產IGBT需要用到的設備有很多,主要有真空焊接爐、一次邦線機、二次邦線機、推拉力測試機、成品動態測試機、高溫烘箱、氮氣烘箱、清洗臺、DBC靜態測試機等。下面一起來詳細了解一下IGBT生產工藝流程以及igbt生產設備有哪些吧。
IGBT 芯片
1897 1
igbt屬于什么器件 igbt有幾種類型
IGBT是一種半導體器件,屬于電壓控制器件,能調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等。IGBT的種類眾多,根據電壓等級分,可分為低壓IGBT、中壓IGBT和高壓IGBT;按封裝方式分,可分為IGBT單管、IGBT模塊和功率集成;按是否具有N+緩沖層劃分,可分為穿通IGBT和非穿通IGBT。下面一起來了解一下igbt屬于什么器件以及igbt有幾種類型吧。
IGBT 芯片
1522 1
IGBT行業的發展前景怎么樣 IGBT未來發展趨勢及發展方向分析
igbt在新能源汽車等新興行業領域應用廣泛,隨著這些產業的發展,IGBT的需求量和需求空間也不斷擴大,未來IGBT行業的發展前景還是比較廣闊的。IGBT的發展趨勢主要是降低損耗和降低成本,從結構上來說,有IGBT縱向結構、IGBT縱向結構和硅片加工工藝三個發展方向。下面一起來看看IGBT行業的發展前景怎么樣以及IGBT未來發展趨勢及發展方向分析吧。
IGBT 芯片
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igbt的優點和缺點有哪些 igbt有什么特性
igbt是常用的功率半導體器件,它具有電壓和電流處理能力高、沒有輸入電流和低輸入損耗、導通電阻低、芯片尺寸小、開關速度快、功率增益高等諸多優點,不過這種半導體器件也存在沒有附加電路無法處理AC波形、價格高、存在鎖存問題等缺點。下面一起來詳細了解一下igbt的優點和缺點有哪些以及igbt有什么特性吧。
IGBT 芯片
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igbt和mos管的區別有哪些 igbt和mos管能互換嗎
igbt是絕緣柵雙極型晶體管,mos管是絕緣柵場效應管,它們在結構、導通電壓、高溫特性、開關速度、應用等諸多方面都存在一定的區別,相比較而言,二者各有各的優勢,選擇時主要是根據實際應用場合來選擇,考慮到它們的工作特性不同,一般不能互換使用,考慮具體技術細節情況下,可以用IGBT替代mos管。那么igbt和mos管的區別有哪些?igbt和mos管能互換嗎?一起來文章中了解一下吧。
IGBT MOS管
2982 2
igbt的作用與功能 igbt主要應用在哪些場合
igbt的主要作用就是將輸入的高壓直流電流轉換為高壓交流電,還可以實現變頻,在新能源汽車的電動控制系統、車載空調控制系統以及充電樁領域,智能電網的發電端、輸電端、變電端、用電端,軌道交通的交流傳動系統中有廣泛的應用。下面一起來了解一下igbt的作用與功能以及igbt主要應用在哪些場合吧。
IGBT 芯片
3358 1
IGBT內部結構是怎樣的 igbt工作原理是什么
igbt結構相當于一個四層半導體的器件,四層器件通過組合PNP和NPN晶體管構成了P-N-P-N排列;igbt模塊則由散熱基板、DBC基板、IGBT芯片、Diode芯片以及鍵合線組成。IGBT主要用于把高壓直流變為交流,以及變頻,這是通過不斷激活和停用其柵極端子來實現的。下面一起來了解一下IGBT內部結構是怎樣的以及igbt工作原理是什么吧。
IGBT 芯片
815 1
igbt工作原理和作用

一、igbt工作原理是什么

IGBT是絕緣柵雙極晶體管的英文簡稱,是一種三端半導體開關的器件,一般igbt結構相當于一個四層半導體的器件,四層器件通過組合PNP和NPN晶體管構成了P-N-P-N排列;igbt模塊則由散熱基板、DBC基板、IGBT芯片、Diode芯片以及鍵合線組成。IGBT作為一種功率晶體管,主要用于變頻器逆變和其他逆變電路,將直流電壓逆變成頻率可調的交流電,其工作原理是通過不斷激活和停用其柵極端子來開啟、關閉:IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電,使IGBT關斷。若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。

二、igbt的作用和功能

IGBT的主要作用是可以很容易地將輸入的高壓直流電流轉換為高壓交流電,只需通過脈寬調制即可實現變頻控制,它通過十幾伏的門極控制信號,即可實現kV級電壓和kA級電流的控制,開關頻率可達每秒幾萬次,具有高電壓、大電流、高頻率、低導通壓降等特點,廣泛應用于新能源汽車的電動控制系統、車載空調控制系統以及充電樁領域,智能電網的發電端、輸電端、變電端、用電端,軌道交通的交流傳動系統等領域。如果您需要采購igbt芯片或igbt模塊,可以先來看看IGBT十大品牌。

三、igbt芯片和igbt模塊的區別

IGBT芯片是絕緣柵雙極型晶體管芯片,是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,被稱為“電力電子裝置的CPU”,它和igbt模塊統稱igbt,不過igbt芯片和igbt模塊還是有所不同的,簡單來說,IGBT芯片就是一塊封裝好的絕緣柵雙極型晶體管芯片,而igbt模塊是由多個IGBT芯片、反并聯二極管、驅動電路、保護電路等組成的集成模塊。一般來說,IGBT芯片不會單獨使用,而是組裝成igbt模塊再使用,因為IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點,當前市場上銷售的多為模塊化產品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊。

四、igbt模塊怎么測量好壞

igbt模塊損壞一般常見的原因有過電流損壞、過電壓損壞、靜電損壞、過熱損壞、機械應力對產品的破壞等,判斷IGBT模塊是否損壞,一般需要先對其進行檢測,igbt模塊的檢測一般分為兩部分:1、判斷極性:首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時,若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,則判斷此極為柵極(G),其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接地為發射極(E)。2、判斷好壞:將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT的集電極(C),紅表筆接IGBT 的發射極(E),此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時IGBT被觸發導通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極(G)和發射極(E),這時IGBT被阻斷,萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。

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