2025年靶材十大品牌

一、靶材是什么材料

靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產生不同的殺傷破壞效應。例如：蒸發磁控濺射鍍膜是加熱蒸發鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。

二、靶材的用途

1、用于顯示器上

靶材目前被普遍應用于平面顯示器（FPD)上。近年來，平面顯示器在市場上的應用率逐年增高，同時也帶動了ITO靶材的技術與市場需求。ITO靶材有兩種，一種是采用銦錫合金靶材，另外一種是采用納米狀態的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結。

2、用于微電子領域

靶材也被應用于半導體產業，相對來說半導體產業對于靶材濺射薄膜的品質要求是比較苛刻的?，F在12英寸（300衄口）的硅晶片也被制作出來，但是互連線的寬度卻在減小。目前硅片制造商對于靶材的要求都是大尺寸、高純度、低偏析以及細晶粒等，對其品質要求比較高，這就要求靶材需要具有更好的微觀結構。

3、用于存儲技術上

存儲技術行業對于靶材的需求量很大，高密度、大容量硬盤的發展，離不開大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復合膜是如今應用比較廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發展，用它制造出來的磁光盤有著使用壽命長、存儲容量大以及可反復無接觸擦寫的特點。

三、靶材的分類有哪些

1、根據不同材質劃分

（1）金屬靶材

鎳靶Ni、鈦靶Ti、鋅靶Zn、鉻靶Cr、鎂靶Mg、鈮靶Nb、錫靶Sn、鋁靶Al、銦靶In、鐵靶Fe、鋯鋁靶ZrAl、鈦鋁靶TiAl、鋯靶Zr、鋁硅靶AlSi、硅靶Si、銅靶Cu、鉭靶Ta、鍺靶Ge、銀靶Ag、鈷靶Co、金靶Au、釓靶Gd、鑭靶La、釔靶Y、鈰靶Ce、不銹鋼靶、鎳鉻靶NiCr、鉿靶Hf、鉬靶Mo、鐵鎳靶FeNi、鎢靶、W等。

（2）陶瓷靶材

ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。

（3）合金靶材

鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。

2、根據不同應用方向劃分

（1）半導體關聯靶材

電極、布線薄膜：鋁靶材，銅靶材，金靶材，銀靶材，鈀靶材，鉑靶材，鋁硅合金靶材，鋁硅銅合金靶材等。

儲存器電極薄膜：鉬靶材，鎢靶材，鈦靶材等。

粘附薄膜：鎢靶材，鈦靶材等。

電容器絕緣膜薄膜：鋯鈦酸鉛靶材等。

（2）磁記錄靶材

垂直磁記錄薄膜：鈷鉻合金靶材等。

硬盤用薄膜：鈷鉻鉭合金靶材，鈷鉻鉑合金靶材，鈷鉻鉭鉑合金靶材等。

薄膜磁頭：鈷鉭鉻合金靶材，鈷鉻鋯合金靶材等。

人工晶體薄膜：鈷鉑合金靶材，鈷鈀合金靶材等。

（3）光記錄靶材

相變光盤記錄薄膜：硒化碲靶材，硒化銻靶材，鍺銻碲合金靶材，鍺碲合金靶材等。

磁光盤記錄薄膜：鏑鐵鈷合金靶材，鋱鏑鐵合金靶材，鋱鐵鈷合金靶材，氧化鋁靶材，氧化鎂靶材，氮化硅靶材等。

四、靶材的性能和指標

靶材制約著濺鍍薄膜的物理，力學性能，影響鍍膜質量，因而要求靶材的制備應滿足以下要求：

1、純度：要求雜質含量低純度高，靶材的純度影響薄膜的均勻性，以純Al靶為例，純度越高，濺射Al膜的耐蝕性及電學、光學性能越好。不過不同用途的靶材對純度要求也不同，一般工業用靶材純度要求不高，但就半導體、顯示器件等領域用靶材對純度要求是十分嚴格的，磁性薄膜用靶材對純度的要求一般為99.9%以上，ITO中的氧化銦以及氧化錫的純度則要求不低于99.99%。

2、雜質含量：靶材作為濺射中的陰極源，固體中的雜質和氣孔中的O2和H2O是沉積薄膜的主要污染源，不同用途的靶材對單個雜質含量的要求也不同，如：半導體電極布線用的W，Mo，Ti等靶材對U，Th等放射性元素的含量要求低于3*10-9，光盤反射膜用的Al合金靶材則要求O2的含量低于2*10-4。

3、高致密度：為了減少靶材中的氣孔，提高薄膜的性能一般要求靶材具有較高的致密度，靶材的致密度不僅影響濺射時的沉積速率、濺射膜粒子的密度和放電現象等，還影響濺射薄膜的電學和光學性能。致密性越好，濺射膜粒子的密度越低，放電現象越弱。高致密度靶材具有導電、導熱性好，強度高等優點，使用這種靶材鍍膜，濺射功率小，成膜速率高，薄膜不易開裂，靶材的使用壽命長，且濺鍍薄膜的電阻率低，透光率高。靶材的致密度主要取決于制備工藝。一般而言，鑄造靶材的致密度高而燒結靶材的致密度相對較低，因此提高靶材的致密度是燒結制備靶材的技術關鍵之一。

4、成分與組織結構均勻，靶材成分均勻是鍍膜質量穩定的重要保證，尤其是對于復相結構的合金靶材和混合靶材。如ITO，為了保證膜質量，要求靶中In2O3-SnO2組成均勻，都為93：7或91：9（分子比）。

5、晶粒尺寸細小，靶材的晶粒尺寸越細小，濺鍍薄膜的厚度分布越均勻，濺射速率越快。